Xe 和 XeF2 的内壳层光电离与芯空穴衰变
原子物理
2015-07-07 v1 原子与分子团簇
摘要
比较了 Xe 和 XeF2 在 660–740 eV 范围内来自 Xe 3d5/2、Xe 3d3/2 和 F 1s 亚壳层的光电离截面与部分离子产额，以探索 F 配体的影响。Xe 3d - εf 连续谱形状共振主导了原子和分子的光电离截面，但由于名义上将 Xe 3d 和 F 1s 电子激发到最低未占分子轨道（LUMO，一个离域反键 MO），XeF2 截面中出现了显著的共振。亚壳层电离阈值、LUMO 共振能量及其振子强度通过相对论耦合簇方法计算。由于内壳层空穴存在不同的衰变路径，原子和分子产生了多种电荷态和碎片离子。总离子产额和部分离子产额随形状共振和 LUMO 共振而变化。先前对原子 Xe 3d 芯空穴衰变道的计算和测量以及我们对 XeF2 的计算结果指导了对分子离子产物的解释。XeF2 的部分离子产额由 Xe 3d 芯空穴衰变主导，但在 F 1s - LUMO 共振处测量到了独特的离子产物。与原子 Xe 相比，XeF2 的 Xe 3d 芯空穴衰变产生较低的电荷态，并且高能 F 离子通过分子离子的库仑爆炸产生。测量结果支持一个分子芯空穴衰变模型：始于局域空穴，逐步的俄歇电子发射使电荷扩散到相邻原子，随后系统发生高能碎裂。
引用
@article{arxiv.1507.01493,
title = {Inner-shell photoionization and core-hole decay of Xe and XeF$_2$},
author = {Stephen H. Southworth and Ralf Wehlitz and Antonio Picón and C. Stefan Lehmann and Lan Cheng and John F. Stanton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01493},
year = {2015}
}