硅阴离子经K壳层激发与电离的多重光 detachment
原子物理
2021-11-16 v2
摘要
利用同步辐射光源上的光子-离子合并束技术，在1830–1900 eV光子能量范围内测量了硅阴离子经K壳层激发与电离的m重光 detachment（m=3–6）的实验截面。所有截面均表现出阈值行为，该行为被与1s电子激发到较高、部分占据或未占据原子亚壳层相关的阈值前共振所掩盖。多组态Dirac-Fock（MCDF）计算的结果在与实验推导的光吸收截面比较时一致，前提是需对计算的共振位置和detachment阈值施加小的能量偏移。此外，采用系统方法对初始产生K壳层空穴后发生的退激发级联进行建模。所得产物电荷态分布与直接K壳层detachment的测量结果吻合良好，但与共振K壳层激发的吻合较差。本结果可用于识别冷等离子体（如星际气体云）中的硅阴离子。
引用
@article{arxiv.2111.01408,
title = {Multiple photodetachment of silicon anions via K-shell excitation and ionization},
author = {A. Perry-Sassmannshausen and T. Buhr and M. Martins and S. Reinwardt and F. Trinter and A. Müller and S. Fritzsche and S. Schippers},
journal= {arXiv preprint arXiv:2111.01408},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 4 figures