Si-负离子的内壳层光剥离：多电子关联的强效应

本文提出了关于Si-负离子内壳层单光剥离的首次理论研究。在多发体理论框架下，计算了在实验可获得的光子能量范围（7.5-14 Ry）内Si-离子L壳层光剥离的分截面和总截面、光电子相移以及角各向异性参数。在不同的近似层次上，对离子多电子体系Si-对外加电磁场的响应计算进行了比较：“冻结场”含交换随机相近似（Random Phase Approximation with Exchange, RPAE）和静态弛豫近似。当在戴森方程方法（Dyson Equation Method, DEM）中同时包含动态弛豫和极化以及RPAE修正（RPAE&DEM方法）时，得到了最优分析。预测表明，开放p壳层中复杂“形状-费什巴赫（shape-Feschbach）”性质的共振态的光激发，在2s和2p内壳层阈能范围内的光剥离截面中表现为显著的共振结构，类似于C-的1s内壳层光剥离（J.Phys.B 39, 1379, 2006）。光剥离动力学特征清晰地展示了在RPAE&DEM方法中所有考虑的多电子关联的重要性，然而总光剥离截面在2s阈值之后立即被一个强共振峰所主导。动态弛豫（屏蔽）被确定为该共振形成的决定性因素。