利用软 X 射线散射研究 CeB6 的电子结构
材料科学
2012-01-04 v1 强关联电子
摘要
利用跨越 Ce 3d 和 4d 吸收边的光子能量，通过共振非弹性软 X 射线散射探测重费米子化合物 CeB6 的电子结构。通过区分非弹性 Raman 散射与正常荧光的不同光谱贡献，研究了局域 4f 轨道与离域价带态之间的杂化。在 3d 和 4d 阈值处均在弹性峰以下观察到显著的能量损失结构。结合具有 4f 特征的偶极允许跃迁，从电荷转移激发的角度讨论了非弹性散射结构的起源与特征。发现考虑全多重态效应的单杂质 Anderson 模型计算给出了与实验数据一致的光谱函数。
引用
@article{arxiv.1201.0711,
title = {Electronic structure investigation of CeB6 by means of soft X-ray scattering},
author = {M. Magnuson and S. M. Butorin and J. -H. Guo and A. Agui and J. Nordgren and H. Ogasawara and A. Kotani and T. Takahashi and S. Kunii},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.0711},
year = {2012}
}
备注
9 pages, 4 figures, 1 table, http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.63.075101