CeFeAsO1-xFx (x=0, 0.11/x=0.12) 化合物的电子结构
超导电性
2010-07-27 v1 强关联电子
摘要
我们通过软X射线和硬X射线光电子发射、X射线吸收以及软X射线发射光谱学，对高温超导体CeFeAsO0.89F0.11及其母体化合物CeFeAsO的本征体电子结构进行了广泛研究。这些技术互补的表面/体探测深度以及元素和化学敏感性，使我们能够解析每种元素的本征电子结构，并将其与局域结构（已通过扩展X射线吸收精细结构光谱学探测）相关联。测量结果表明，铈的初始态构型主要为4f1（即Ce3+），并且存在有效的价带至4f的电荷转移屏蔽核心空穴。光谱还揭示了少量Ce f0初始态构型的存在，我们将其归因于中间价态的出现。数据表明，在大能量范围内，其结果与通过标准密度泛函计算得到的部分态密度具有相当好的一致性。本文讨论了这些结果对该类材料电子结构的意义。
引用
@article{arxiv.1007.1594,
title = {Electronic Structure of CeFeAsO1-xFx (x=0, 0.11/x=0.12) compounds},
author = {F. Bondino and E. Magnano and C. H. Booth and F. Offi and G. Panaccione and M. Malvestuto and G. Paolicelli and L. Simonelli and F. Parmigiani and M. A. McGuire and A. S. Sefat and B. C. Sales and R. Jin and P. Vilmercati and D. Mandrus and D. J. Singh and N. Mannella},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.1594},
year = {2010}
}
备注
Accepted for publication in Phys. Rev. B