Ce 3d 边缘谱�发射研究 CeNi_2
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
对 α 类化合物 CeNi_2 在 Ce 3d -> 4f 阈值处的共振光电子发射 (RPES) 进行了高分辨率研究（全宽半高最大 < 0.2 eV），以获得bulk敏感的 4f 谱权。在共振处，谱表现出在费米能级附近出现的锐利、分辨率受限的峰，可 assigned 为 Kondo 共振的尾部。然而，位于 0.3 eV 结合能处对应的自旋轨道侧带由于 f_{7/2} 峰被消失，与在 Ce 3d -> 4f RPES 阈值处的谱图形成鲜明对比。这被解释为由于不同表面灵敏度所致，bulk 敏感的 Ce 3d -> 4f RPES 谱图与其他电子光谱和低能性质相符， thus 解决了对 Ce 类化合物光电子发射解释的争议。整个价带上的 4f 谱权也可与 Gunnarsson-Schoenhammer 对单个杂质 Anderson 模型的计算 reasonably well 拟合，尽管细节特征对混合带形状和（可能的）Ce 5d 发射有一定依赖。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9910373,
title = {High-resolution Ce 3d-edge resonant photoemission study of CeNi_2},
author = {See-Hun Yang and S. -J. Oh and Hyeong-Do Kim and Ran-Ju Jung and A. Sekiyama and T. Iwasaki and S. Suga and Y. Saitoh and E. -J. Cho and J. -G. Park},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9910373},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figure