直接集成于硅上的氧化物量子阱中金属-绝缘体行为的原子层控制
材料科学
2017-10-25 v1
摘要
我们展示了直接集成在 Si(100) 上的外延 LaTiO3/SrTiO3 量子阱的电学和结构表征。该量子阱表现出由费米液体行为描述的金属输运。载流子来自 LaTiO3 到 SrTiO3 的电荷转移以及后者中的氧空位。通过减小量子阱厚度，观察到载流子-载流子散射增强，并出现绝缘输运。与块体稀土钛酸盐中的 Mott 驱动转变一致，绝缘行为由激活输运描述，并且绝缘输运的起始发生在 SrTiO3 阱内每个 Ti 占据接近 1 个电子时。我们还讨论了结构和应变梯度可能在增加载流子密度方面的作用。在直接生长在 Si 上的氧化物中操纵金属-绝缘体行为，为在器件技术中利用强关联现象开辟了途径。
引用
@article{arxiv.1710.08597,
title = {Atomic layer control of metal-insulator behavior in oxide quantum wells integrated directly on silicon},
author = {Kamyar Ahmadi-Majlan and Tong-Jie Chen and Zheng Hui Lim and Patrick Conlin and Ricky Hensley and Dong Su and Hanghui Chen and Divine P. Kumah and Joseph H. Ngai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.08597},
year = {2017}
}