利用 MRI 型特征放置的原子光刻
原子物理
2009-11-07 v1
摘要
我们展示了在中性原子光刻中使用频率编码光掩模。我们证明了可在单调势梯度上制备多重特征。利用亚稳态氩束在硅基底上制作了窄至 0.9 微米的特性。与以往光掩模不同，利用此类掩模进行内部态操控可实现连续可调的特征位置与不受光波长限制的特征密度。
引用
@article{arxiv.physics/0209084,
title = {Atom lithography using MRI-type feature placement},
author = {J. H. Thywissen and M. Prentiss},
journal= {arXiv preprint arXiv:physics/0209084},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 figures