晶体硅中 BH 局部对模的同位素频移
概率论
2014-06-17 v2
摘要
计算了由于 B（B）替代式和 H（D）间隙式杂质在晶体硅中引起的局部对模的同位素频移，将其作为多体问题并采用简单模型处理，结果与实验相符。将所得结果与其他理论计算进行了比较。
引用
@article{arxiv.1312.0173,
title = {Asymptotic Analysis for Markovian Queues with Two Types of Nonpersistent Retrial Customers},
author = {Tuan Phung-Duc},
journal= {arXiv preprint arXiv:1312.0173},
year = {2014}
}
备注
Submitted for review