通过常数深度电路实现量子双重模型中的任意子anyon排列
量子物理
2026-02-11 v1 强关联电子
摘要
我们提供了实现 Kitaev 量子双重模型中一般 anyon 排列的显式常数深度局部单元门电路。这种构建可通过二维拓扑次序的 anyon 排列对称性与一维系统中的自对偶性之间的对应关系自然理解。在这种全息视角下，局部门实现微观区域边界上的自对偶性转换。一般的 量子双重模型的 anyon 排列对应于三类一维自对偶性的组合，包括：对 某些子群的 gauging、与 对称受保护拓扑相的堆叠，以及群 的 outer 自同构。我们通过采用自对偶单位门 gauging 图实现前一类的电路，并为后两类提供 transversal 电路。
引用
@article{arxiv.2602.10110,
title = {Anyon Permutations in Quantum Double Models through Constant-depth Circuits},
author = {Yabo Li and Zijian Song},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.10110},
year = {2026}
}