c轴 MgB₂ 薄膜中异常微波导电性相干性峰
超导电性
2009-11-10 v2
摘要
两种c轴取向的 MgB₂ 薄膜在 17.9 GHz 处的微波复合导电性实部的温度依赖性通过表面阻抗测量得到，显示在临界温度约为 0.6 的温度处出现显著的极大值。基于玻尔-库珀-施韦纳 (BCS) 理论的两带模型计算表明，这一极大值对应于一种类似 MgB₂ 两带性质的异常相干峰。在本模型中，我们假设不存在带间杂质散射且带间配对相互作用较弱，正如带结构计算所建议的那样。此外，观察到相干峰的存在表明 π 带处于脏极限，并且支配着我们薄膜的总导电性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0304051,
title = {Anomalous microwave conductivity coherence peak in c-axis MgB2 thin film},
author = {B. B. Jin and T. Dahm and A. I. Gubin and Eun-Mi Choi and Hyun Jung Kim and Sung-IK Lee and W. N. Kang and N. Klein},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0304051},
year = {2009}
}
备注
10 pages, 4 figures, to be published in Phys. Rev. Lett