MgB2薄膜在微波频率下的有效能隙：强杂乱散射下的分析
超导电性
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了通过所谓原位法制备的多晶型MgB2薄膜的微波性能。通过共面谐振器技术获得薄膜在微波频率的表征。对实验数据的分析结果决定了渗透深度、表面阻抗和复电导。本工作的目的是将实验结果置于一致的框架中，涉及存在杂乱散射的两带模型。计算能隙并考虑了内带和杂乱散射的贡献。通过将计算得到的能隙值与实验数据进行比较，可以发现渗透深度的温度依赖性可由有效平均能隙来解释，与Kogan等人[Phys. Rev. B 69, 132506 (2004)]的预测一致。另一方面，微波电导的实部和表面电阻的温度依赖性可由单个较小能隙来解释，与Jin等人[Phys. Rev. Lett. 91, 127006 (2003)]的工作一致。由于这些发现依赖于相同的计算能隙结构，所需的一致性得以实现。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505764,
title = {Effective gap at microwave frequencies in MgB2 thin films with strong interband scattering},
author = {G. Ghigo and D. Botta and A. Chiodoni and L. Gozzelino and R. Gerbaldo and F. Laviano and E. Mezzetti and E. Monticone and C. Portesi},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505764},
year = {2009}
}
备注
24 pages, 9 figures. Phys. Rev. B, in press