强磁场下半金属磁电阻与平面霍尔效应的角度依赖性
介观与纳米尺度物理
2021-03-31 v1 材料科学
摘要
半经典输运理论在研究伽伐尼磁效应方面尤为有力。一般而言，半经典理论仅适用于弱场，因为它未考虑朗道量子化。在此，我们通过考虑半金属中载流子密度的场依赖性来扩展传统的半经典理论。扩展后的半经典理论即使在朗道量子化显著的强场中也适用。利用这一新方法，我们解释了随着磁场增大，铋中横向磁电阻（TMR）、各向异性磁电阻（AMR）和平面霍尔效应（PHE）角度依赖性的定性变化。这揭开了近期在半金属铋中观测到的 TMR、AMR 和 PHE 的非平凡场致变化之谜。
引用
@article{arxiv.2010.07077,
title = {Angular dependence of magnetoresistance and planar Hall effect in semimetals in strong magnetic fields},
author = {Akiyoshi Yamada and Yuki Fuseya},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.07077},
year = {2021}
}
备注
6 pages, 5 figures