半壳 InAsSb/Al 混合纳米线表面积累层中的安德烈夫干涉
介观与纳米尺度物理
2021-04-05 v1
摘要
理解与超导体邻近耦合的 III-V 族纳米线中载流子的空间分布，对于基于混合量子器件的实验设计与结果解释十分重要。本快报通过平行磁场中的安德烈夫干涉，研究了 InAsSb/Al 纳米线随栅压变化的表面积累层。均匀混合纳米线以及采用阴影光刻技术制备的短约瑟夫森结器件，均表现出开关电流的周期性调制。该周期对应于穿过纳米线直径的磁通量子，并与占据圆柱形表面积累层的安德烈夫束缚态相符。空间分布可由栅电势调控，这与静电模型的预期一致。
引用
@article{arxiv.2104.00723,
title = {Andreev interference in the surface accumulation layer of half-shell InAsSb/Al hybrid nanowires},
author = {Lukas Stampfer and Damon J. Carrad and Dags Olsteins and Christian E. N. Petersen and Sabbir A. Khan and Peter Krogstrup and Thomas S. Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.00723},
year = {2021}
}