烧结钝化接触（FPC）中氢分布与迁移的分析

本工作中，基于 c-Si/SiO$_{x}$/nc-SiC$_{x}$(p) 叠层的烧结钝化接触（FPC）的氢化机制通过钝化与氢的局部再分布之间的关联进行了研究。采用二次离子质谱（SIMS）深度剖析评估氢（/氘）含量。SIMS 剖面显示，氢在烧结过程中几乎完全从 SiC$_{x}$(p) 中逸出，但可通过形成气退火（FGA）的氢化或来自含氢层（如 SiN$_{x}$:H）的释放而重新引入。观察到 H 在 c-Si/SiO$_{x}$ 界面的堆积，并确定其为 FPC 钝化机制中的关键因素。此外，用 SiN$_{x}$:H 氢化的样品比经 FGA 处理的样品表现出更高的 H 含量，从而导致更高的 iV$_{OC}$ 值。进一步研究表明，SiC$_{x}$ 层的掺杂不影响本工作所呈现氢化过程钝化的界面缺陷数量。最终，证实了氧化物性质对钝化质量的影响。使用化学和 UV-O$_{3}$ 隧穿氧化物的 FPC 测试结构分别达到高达 706 mV 和 720 mV 的 iV$_{OC}$ 值，而使用具有约 25 nm 厚热氧化物的参考钝化样品达到高达 739 mV。