标量踢击与记忆效应
代数几何
2026-01-19 v2
摘要
一个与物质 conformally和disformally耦合的标量场影响二元系统在双曲轨道上的线性记忆效应以及位于束缚或非束缚轨道上的二元系统的踢速度。我们详细研究了这些修正的尺度、大小，并讨论了其可检测性。特别地，我们发现disformal相互作用不贡献于记忆效应和零频率发射功率谱。conformal相互作用纠正了GR线性记忆效应以及零频率的四极辐射功率，导致GR记忆功率谱关系被打破。另一方面，disformal相互作用导致中心质量的动量变化。因此，测量双曲轨道上的线性记忆效应和踢 velocities将提供关于接近无质量标量与物质耦合的conformal和disformal耦合方式的访问权限。
引用
@article{arxiv.2412.17937,
title = {An explicit derived McKay correspondence for some complex reflection groups of rank two},
author = {Anirban Bhaduri and Yael Davidov and Eleonore Faber and Katrina Honigs and Peter McDonald and C. Eric Overton-Walker and Dylan Spence},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.17937},
year = {2026}
}
备注
To appear in Advances in Mathematics