现代DRAM芯片中组合式RowHammer与RowPress读扰动的实验表征

DRAM读扰动会破坏内存隔离，这是确保系统鲁棒性(即可靠性、安全性、安全性)的基本属性。RowHammer和RowPress是两种不同的DRAM读扰动现象。RowHammer通过反复打开和关闭攻击者DRAM行来诱发物理相邻受害者DRAM行中的位翻转，而RowPress通过长时间保持攻击者DRAM行打开来诱发位翻转。在本研究中，我们对84个来自三个主要DRAM制造商的真实DDR4芯片进行了该组合RowHammer和RowPress模式的特征化。我们的关键结果显示，1)这种组合RowHammer和RowPress模式比最先进的RowPress模式更快地诱发首个位翻转(快达46.1%)，2)在最小攻击者行激活计数即可诱发至少一个位翻转时，RowHammer、RowPress和组合模式下的翻转位是不同的。基于我们的结果，我们提供了一个关键假设，即RowPress从双侧模式中两个攻击者行中的一个造成的读扰动效应显著大于另一个。