重新审视 RowHammer：现代 DRAM 器件的实验分析与缓解技术
硬件体系结构
2020-06-01 v2 密码学与安全
摘要
为了更深入地揭示 RowHammer 在电路层面如何影响现代及未来器件，我们首先对 1580 颗 DRAM 芯片（408 颗 DDR3、652 颗 DDR4 和 520 颗 LPDDR4，来自 300 个 DRAM 模组，含 60 个 DDR3、110 个 DDR4 和 130 个 LPDDR4）进行了 RowHammer 实验表征，这些芯片禁用了 RowHammer 保护机制，涵盖了三大主要 DRAM 制造商各自的多种不同工艺节点。我们的研究明确表明，较新的 DRAM 芯片更易受 RowHammer 影响：随着器件特征尺寸减小，诱发一次 RowHammer 比特翻转所需的激活次数也随之减少，在我们测试的最易受损芯片中低至 9.6k（对两行各 4.8k）。我们利用基于芯片真实数据的周期精确仿真，评估了五种最先进的 RowHammer 缓解机制，以研究这些机制如何随芯片易损性扩展。我们发现，根据我们观察到的 RowHammer 易损性趋势，现有机制要么不可扩展，要么在预期的未来器件中面临过高的性能开销。因此，研究更有效的 RowHammer 解决方案至关重要。
引用
@article{arxiv.2005.13121,
title = {Revisiting RowHammer: An Experimental Analysis of Modern DRAM Devices and Mitigation Techniques},
author = {Jeremie S. Kim and Minesh Patel and A. Giray Yaglikci and Hasan Hassan and Roknoddin Azizi and Lois Orosa and Onur Mutlu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.13121},
year = {2020}
}