SpyHammer：在细粒度温度变化下理解与利用 RowHammer
密码学与安全
2024-06-04 v2 硬件体系结构
摘要
RowHammer 是一种 DRAM 漏洞，仅以足够高的速率访问相邻 DRAM 行即可导致受害 DRAM 行发生比特错误。近期研究表明，新的 DRAM 器件对 RowHammer 的脆弱性日益增加，且许多工作展示了用于权限提升或信息泄露的系统级攻击。在本工作中，我们首次对 RowHammer 与温度之间的相关性进行了严格的细粒度表征与分析。我们表明，RowHammer 对温度变化非常敏感，即使变化很小（例如 {\deg}C）。我们利用分析中的两个关键观察来侦测 DRAM 温度：1) RowHammer 诱导的比特错误率随温度升高而持续增加（或减少）；2) 一些易受 RowHammer 影响的 DRAM 单元仅在特定温度下才出现比特错误。基于这些观察，我们提出了一种称为 SpyHammer 的新型 RowHammer 攻击，用于侦测工业生产线、车辆和医疗系统等关键系统中 DRAM 的温度。SpyHammer 是首个能够侦测 DRAM 温度的实用攻击。我们在受控环境中的评估表明，对于来自四家主要制造商的 12 个真实 DRAM 模块（120 个 DRAM 芯片），SpyHammer 能够以低于 {\deg}C 的误差推断受害 DRAM 模块的温度（在所有测试温度的 90 百分位处）。
引用
@article{arxiv.2210.04084,
title = {SpyHammer: Understanding and Exploiting RowHammer under Fine-Grained Temperature Variations},
author = {Lois Orosa and Ulrich Rührmair and A. Giray Yaglikci and Haocong Luo and Ataberk Olgun and Patrick Jattke and Minesh Patel and Jeremie Kim and Kaveh Razavi and Onur Mutlu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.04084},
year = {2024}
}
备注
This work is to appear at IEEE Access, 2024