RowHammer：可靠性分析与安全影响
分布式、并行与集群计算
2016-03-03 v1 密码学与安全
摘要
随着工艺技术缩小到更小尺寸，DRAM 芯片变得更容易受到干扰，这是一种不同 DRAM 单元相互干扰彼此操作的现象。在学术文献中，我们的 ISCA 论文首次暴露了当今销售和使用的商用 DRAM 芯片中存在干扰错误。我们表明重复读取同一地址可能破坏附近地址中的数据。更具体地：当 DRAM 行被打开（即激活）和关闭（即预充电）反复进行（即 hammered）时，它会在相邻 DRAM 行中诱导干扰错误。这种失效模式通俗称为 RowHammer。我们测试了过去六年（2008-2014）内制造的 129 个 DRAM 模块，发现其中 110 个表现出 RowHammer 干扰错误，最早的可追溯到 2010 年。特别是过去两年（2012-2013）的所有模块都易受攻击，这意味着这些错误是影响更先进工艺技术代次的近期现象。重要的是，干扰错误构成了易于利用的安全威胁，因为它们是对内存保护的突破，其中对一页（映射到一行）的访问修改了存储在另一页（映射到相邻行）中的数据。
引用
@article{arxiv.1603.00747,
title = {RowHammer: Reliability Analysis and Security Implications},
author = {Yoongu Kim and Ross Daly and Jeremie Kim and Chris Fallin and Ji Hye Lee and Donghyuk Lee and Chris Wilkerson and Konrad Lai and Onur Mutlu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.00747},
year = {2016}
}
备注
This is the summary of the paper titled "Flipping Bits in Memory Without Accessing Them: An Experimental Study of DRAM Disturbance Errors" which appeared in ISCA in June 2014