HBM2 DRAM 芯片中 RowHammer 的实验分析
密码学与安全
2023-05-30 v1 硬件体系结构
摘要
RowHammer（RH）是现代 DRAM 芯片中一个显著且日益严重的安全、安全和可靠性问题，可被利用来打破内存隔离。因此，理解真实 DRAM 芯片的 RH 特性十分重要。遗憾的是，此前没有工作广泛研究现代 3D 堆叠高带宽内存（HBM）芯片的 RH 脆弱性，而此类芯片常用于现代 GPU 中。本工作中，我们对一款真实 HBM2 DRAM 芯片的 RH 脆弱性进行了实验表征。我们表明：1）HBM2 内存的不同 3D 堆叠通道表现出显著不同的 RH 脆弱性水平（误码率差异高达 79%）；2）DRAM bank 末尾的行（地址最高的行）比其他行表现出明显更少的 RH 比特翻转；3）现代 HBM2 DRAM 芯片实现了由周期性刷新操作触发的未公开 RH 防御机制。我们描述了观测结果对未来 RH 攻击与防御的影响，并讨论了理解 3D 堆叠内存中 RH 的未来工作。
引用
@article{arxiv.2305.17918,
title = {An Experimental Analysis of RowHammer in HBM2 DRAM Chips},
author = {Ataberk Olgun and Majd Osseiran and Abdullah Giray Ya{ğ}lık{c}ı and Yahya Can Tuğrul and Haocong Luo and Steve Rhyner and Behzad Salami and Juan Gomez Luna and Onur Mutlu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2305.17918},
year = {2023}
}
备注
To appear at DSN Disrupt 2023