TRRespass：利用目标行刷新（TRR）的多面性
摘要
在一系列备受瞩目的 RowHammer 攻击之后，CPU 和 DRAM 厂商争先恐后地推出了旨在成为 RowHammer 问题终极硬件解决方案的机制：目标行刷新（TRR）。从业者普遍认为，对于受 TRR 保护的最新一代 DDR4 系统，RowHammer 在实践中已不再是问题。然而，实际上人们对 TRR 知之甚少。本文揭秘了 TRR 的内部工作机制，并揭穿了其安全保证。我们展示了被宣传为单一缓解机制的东西，实际上是在 TRR 这一统称下合并的一系列不同解决方案。通过深入分析，我们检查并披露了不同的现有 TRR 解决方案，并证明现代实现完全在 DRAM 芯片内部运行。尽管分析片内 DRAM 缓解机制存在困难，我们描述了新颖的技术来洞察这些缓解机制的运作。这些洞察使我们能够构建 TRRespass，一个可扩展的黑盒 RowHammer 模糊测试器。TRRespass 表明，即使是最新一代具有片内 DRAM TRR、对所有已知 RowHammer 攻击免疫的 DDR4 芯片，通常仍然易受我们开发的新的 TRR 感知型 RowHammer 变种攻击。特别是，TRRespass 发现，在现代 DDR4 模块上，当使用多个攻击行（在某些情况下多达 19 个）时，RowHammer 仍然可能发生，我们通常将这种方法称为多面 RowHammer。总体而言，我们的分析显示，来自所有三大 DRAM 厂商的 42 个模块中有 13 个易受我们的 TRR 感知型 RowHammer 访问模式攻击，因此仍然可以发起现有的最先进的 RowHammer 攻击。除了 DDR4，我们还对 LPDDR4 芯片进行了实验，并表明它们也容易受到 RowHammer 位翻转的影响。我们的结果提供了具体证据，表明追求更好的 RowHammer 缓解措施必须继续。
引用
@article{arxiv.2004.01807,
title = {TRRespass: Exploiting the Many Sides of Target Row Refresh},
author = {Pietro Frigo and Emanuele Vannacci and Hasan Hassan and Victor van der Veen and Onur Mutlu and Cristiano Giuffrida and Herbert Bos and Kaveh Razavi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.01807},
year = {2020}
}
备注
16 pages, 16 figures, in proceedings IEEE S&P 2020