合金化诱导的二维过渡金属二硫族化合物半导体拓扑转变
材料科学
2019-03-26 v2
摘要
由于在实验中缺乏可行的生长二维拓扑绝缘体(TIs)的方法，对二维拓扑绝缘体的研究受到阻碍。通过系统的第一性原理计算和紧束缚模拟，我们提出在二维 MoX2 (X = S, Se, Te) 单层中合金化 Os 是诱导半导体到拓扑绝缘体转变的有效方法，其具有 25-37 meV 的可观非平庸能隙。对电子结构的分析表明，拓扑性质主要来源于 Os 原子的 5d 轨道。此外，拓扑绝缘体能隙可以通过外部双轴应变进行调制。
引用
@article{arxiv.1806.02503,
title = {Alloying-induced topological transition in 2D transition-metal dichalcogenide semiconductors},
author = {Liying Ouyang and Ge Hu and Can Qi and Jun Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.02503},
year = {2019}
}