简单立方晶格上邻位回避行走的吸附

我们研究存在吸附表面时简单立方晶格上的邻位回避行走。这类格点路径较少使用蒙特卡洛模拟进行研究。我们的研究延续了先前关于自回避行走与自回避轨迹的结果。其联系在于，邻位回避行走等价于具有单体-单体相互作用的自回避行走在无穷排斥极限下的情形。此类排斥相互作用可视为增强了排除体积效应。我们计算了邻位回避行走吸附转变的临界行为，得到临界温度 $T_{\text a}=3.274(9)$ 与交叉指数 $\phi=0.482(13)$，这与自回避行走和轨迹的指数一致，从而给出三维总体联合估计 $\phi_\text{3D}=0.484(7)$。尽管此前曾就三维吸附指数取值的普适性提出疑问，我们的结果表明强排斥区中的 $\phi$ 值与其非相互作用值并无差异。然而，它明显不同于 $1/2$ 的平均场值，因此并非超普适。