自适应延迟 DRAM (AL-DRAM)
硬件体系结构
2016-03-29 v1
摘要
本文总结了自适应延迟 DRAM (AL-DRAM) 的思想，该成果发表于 HPCA 2015。AL-DRAM 的核心目标是利用 DRAM 时序参数中内置的额外裕量来降低 DRAM 延迟。关键观察在于，这些时序参数由最坏情况下的温度和最坏情况下的 DRAM 单元决定，这两者都会导致电荷存储量小，从而造成高访问延迟。因此，可以通过使时序参数适应当前工作温度和当前被访问的 DIMM 来降低延迟。我们的工作首先使用基于 FPGA 的测试平台，对来自三大主要制造商的 115 个 DRAM 模块的额外裕量进行了表征。实验结果表明，在 55°C 下，可以在保持可靠运行的同时，将四个最关键的时序参数降低至少 17.3%，最多 54.8%。AL-DRAM 根据每个 DRAM 模块的当前工作条件，在多个不同的时序参数之间自适应地选择。AL-DRAM 不需要对 DRAM 芯片或其接口进行任何更改；它只需要内存控制器指定并支持多个不同的时序参数。实际系统评估表明，AL-DRAM 在不引入任何错误的情况下，将内存密集型工作负载的性能平均提高了 14%。
引用
@article{arxiv.1603.08454,
title = {Adaptive-Latency DRAM (AL-DRAM)},
author = {Donghyuk Lee and Yoongu Kim and Gennady Pekhimenko and Samira Khan and Vivek Seshadri and Kevin Chang and Onur Mutlu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.08454},
year = {2016}
}
备注
This is a summary of the original paper, entitled "Adaptive-Latency DRAM: Optimizing DRAM Timing for the Common-Case" which appears in HPCA 2015