利用电子背散射衍射获取高纯锡的滑移活动并测量滑移强度
材料科学
2023-10-23 v2
摘要
β-锡已广泛用作现代电子器件中的互连材料。为增进对这些组件可靠性的理解，我们在大晶粒高纯锡(99.99%)样品中，于室温下使用微柱压缩试验直接测量 β-锡中近-[100] 和 [001] 加载方向的晶体取向下的各滑移系临界分切应力。这激活了 (110)[1-11]/2、(110)[1-1-1]/2、(010)[001] 和 (110)[001] 滑移系。对滑移迹线与载荷-位移曲线的分析使得能够测量 epsilon=10^(-4) 时的临界分切应力：tau_(CRSS)^({110}<1-11>/2)=10.4+/-0.4 与 tau_(CRSS)^({010}<001>)=3.9+/-0.3 MPa。
引用
@article{arxiv.2104.02681,
title = {Accessing slip activity in high purity tin with electron backscatter diffraction and measurement of slip strength},
author = {Tianhong Gu and Finn Giuliani and T. Ben Britton},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.02681},
year = {2023}
}
备注
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