κ-ET型有机导体低能模型的第一性原理推导
强关联电子
2010-10-20 v1
摘要
我们首次利用第一性原理降阶技术，为有机导体κ-(ET)₂X推导了有效的哈伯德型哈密顿量。这些哈密顿量包含了最高占据瓦尼尔型分子轨道的色散，对于金属X=Cu(NCS)₂，最近邻跃迁t≈0.067 eV；对于莫特绝缘体X=Cu₂(CN)₃，t≈0.055 eV，同时还包含了屏蔽库仑相互作用。结果显示出与传统的扩展休克尔结果意想不到的差异，特别是更强的在位相互作用U≈0.8 eV（U/t≈12-15），远高于休克尔估计值（U/t≈7-8），以及显著的长程相互作用。需要基于这一现实基础重新审视这类材料家族的物理性质。
引用
@article{arxiv.0903.5409,
title = {Ab initio Derivation of Low-Energy Model for $\kappa$-ET Type Organic Conductors},
author = {Kazuma Nakamura and Yoshihide Yoshimoto and Taichi Kosugi and Ryotaro Arita and Masatoshi Imada},
journal= {arXiv preprint arXiv:0903.5409},
year = {2010}
}
备注
5 pages, 2 figures, and 1 table