拓扑边缘与畴壁理论
介观与纳米尺度物理
2009-07-22 v1 强关联电子
摘要
我们研究了二维空间中拓扑有序相之间的畴壁，并提出了一个简单但通用的框架，由此可以理解其自由度。我们提出的方法利用了我们在别处引入并提出的关于拓扑对称性破缺的结果。在总结该方法之后，我们对一些代表性例子中边缘激发的能谱以及通过边缘的输运进行了预测。这些例子包括磁场下 Kitaev 蜂窝晶格模型的阿贝尔与非阿贝尔拓扑相之间的畴壁，以及最近提出的在不同填充分数下自旋极化与未极化的非阿贝尔分数量子霍尔态之间的畴壁。
引用
@article{arxiv.0812.4596,
title = {A theory of topological edges and domain walls},
author = {F. A. Bais and J. K. Slingerland and S. M. Haaker},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.4596},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 1 figure, latex