垂直 NbN-MgO-NbN Josephson 结的自对准纳米加工工艺
介观与纳米尺度物理
2017-09-19 v1 超导电性
摘要
我们提出一种利用自对准氮化硅间隔物制造垂直 NbN-MgO-NbN Josephson 结的新工艺。该工艺允许结面积在 0.02 um^2 到数百 um^2 的宽范围内变化。同时，它适用于实现传输线阻抗范围从 < 1 Ohm 到 > 1 kOhm 的复杂微波电路。我们对所涉及的薄膜和成品结进行了表征。结果表明后者具有高间隙电压（> 4 mV）和低亚间隙泄漏电流。
引用
@article{arxiv.1705.05608,
title = {A self-aligned nano-fabrication process for vertical NbN-MgO-NbN Josephson junctions},
author = {A. Grimm and S. Jebari and D. Hazra and F. Blanchet and F. Gustavo and J. -L. Thomassin and M. Hofheinz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.05608},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures, 3 tables