由聚焦离子束制造的 NbCu 双层中新型 Josephson 结结构
超导电性
2009-11-07 v2
摘要
我们探索了作为我们已建立的基于聚焦离子束的低 TC SNS 结结构制造技术扩展的新型结配置。通过在直径为 1 微米、宽度为 50 纳米的圆形沟槽中刻蚀 125 纳米厚的 Nb 75 纳米 Cu 双层材料，定义一个与薄膜基部由正常金属垫片相连、且完全在平面内被超导体包围的超导岛。通过在器件表面沉积绝缘层并钻一个直径为 0.3 微米的孔洞以到达岛屿，允许沉积 Nb 通过孔。该器件在 4.2 K 处进行了行为研究。观察到类似 SNS 的电流-电压特性及谢波步。就磁场行为而言，器件显示出新特性：由于器件在类型 II 超导体中完全包围，当垂直于薄膜平面施加磁场时，只有量子磁通才能进入结结构。因此随着施加磁场增大，结的临界电流保持不变，直到磁通量子进入（接近该薄膜的下临界磁场值）时才骤降。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0107254,
title = {Novel Josephson Junction Geometries in NbCu bilayers fabricated by Focused Ion Beam Microscope},
author = {R. H. Hadfield and G. Burnell and P. K. Grimes and D. -J. Kang and M. G. Blamire},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0107254},
year = {2009}
}
备注
10 pages including 6 figures Minor Corrections inlight of referees' comments