一种利用电子束光刻中随机曝光分布建模线边缘粗糙度的新型解析方法
介观与纳米尺度物理
2016-04-21 v1
摘要
当特征尺寸缩小至纳米级时，线边缘粗糙度（LER）成为电子束光刻的一个问题。因此，最小化 LER 是提高电路图形密度的重要方法。可能的途径之一是通过仿真。抗蚀剂中的随机曝光分布由蒙特卡洛模拟生成。此外，还需进行抗蚀剂显影模拟。尽管存在若干模拟或估计 LER 的方法，但无一能像理论分析方法那样揭示 LER 与不同参数之间的内在关系。本文描述了一种基于统计曝光解析推导 LER 的新方法。我们的方法基于随机曝光分布的解析模型，推导曝光的标准差并分析显影后边缘位置的方差。尽管它可能并非 LER 的完整建模，但仍能展示 LER 与某些内部参数之间的强关系。
引用
@article{arxiv.1604.05919,
title = {A Novel Analytic Approach to Model Line Edge Roughness using Stochastic Exposure Distribution in Electron-beam Lithography},
author = {Rui Guo and Soo-Young Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.05919},
year = {2016}
}