全息分数量子拓扑绝缘体
高能物理 - 理论
2014-11-21 v1 强关联电子
摘要
我们给出了最近提出的描述分数量子拓扑绝缘体的低能有效作用量的全息实现。特别地，我们验证了这种假设材料的表面支持一个对应于劳克林态一半的分数量子霍尔电流。
引用
@article{arxiv.1007.3253,
title = {A Holographic Fractional Topological Insulator},
author = {Carlos Hoyos-Badajoz and Kristan Jensen and Andreas Karch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.3253},
year = {2014}
}
备注
4 pages, 2 figures