基于标准8T SRAM的上下文切换/双上下文ROM增强型RAM
系统与控制
2023-09-06 v1 硬件体系结构
系统与控制
摘要
新兴应用的领域不断拓宽，涵盖了人工智能、机器学习、安全加密、物联网等各种数据密集型应用。构建能够服务于多种应用的专用硬件平台的可持续方法，通常要求底层硬件能够进行上下文切换或同时支持多个上下文。本文提出了一种基于标准8T SRAM位单元的上下文切换与双上下文存储器。具体而言，我们利用多阈值（multi-VT）晶体管的可用性，有选择地将8T SRAM单元的读端口晶体管设为高VT或低VT。由此，8T SRAM单元被增强为在存储RAM数据的同时存储ROM数据（以构成读端口的晶体管VT表示）。此外，我们提出了特定的感测方法，使存储器阵列能够支持仅RAM或仅ROM模式（上下文切换（CS）模式）或同时支持RAM和ROM模式（双上下文（DC）模式）。大量的蒙特卡洛仿真已在Globalfoundries 22nm-FDX工艺节点上验证了我们所提出的ROM增强型CS/DC存储器的鲁棒性。
引用
@article{arxiv.2304.02908,
title = {A Context-Switching/Dual-Context ROM Augmented RAM using Standard 8T SRAM},
author = {Md Abdullah-Al Kaiser and Edwin Tieu and Ajey P. Jacob and Akhilesh R. Jaiswal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.02908},
year = {2023}
}