Floquet量子霍尔绝缘体双端输运的计算研究

周期驱动场可诱导拓扑相变，产生具有引人注目性质（如非常大陈数和异常边缘态）的Floquet拓扑相。此类Floquet拓扑相能否产生比其静态对应物稳健得多且大得多的边缘态电导是一个有趣的问题。本文中，在Keldysh形式体系下，我们利用递归Floquet-Green函数方法研究了通过辐照量子霍尔绝缘体边缘态的双引线输运。聚焦于谐波驱动的Hofstadter模型，我们展示了可实现高达 $8e^2/h$ 的量子化霍尔电导，但仅在应用所谓的Floquet求和规则之后。为评估边缘态输运的稳健性，我们分析了直流电导、时间平均电流分布和局域态密度。发现共同传播的手性边缘模相比显著的逆传播边缘模以及某些对称性受限的Floquet边缘模，对无序和缺陷更为稳健。此外，我们超越通常为引线假设的大带宽极限，研究了若引线具有有限带宽，Floquet边缘态的电导量子化（应用Floquet求和规则后）如何受影响。这些结果可能有助于基于Floquet拓扑物质的输运器件设计。