Floquet 拓扑绝缘体的多端电导
介观与纳米尺度物理
2014-12-24 v1 量子物理
摘要
我们报告了利用 Floquet 散射理论对 Floquet 拓扑绝缘体的直流电导和量子霍尔响应的模拟结果。我们的结果表明，一旦石墨烯中激光诱导的边缘态与非光照引线之间的不完美匹配得到缓解，就会导致量子霍尔平台。然而，霍尔平台的幅度并不像通常那样直接取决于给定能量下所有边缘态的数量和手性。相反，平台仅由那些对直流态密度有贡献的边缘态主导。因此，Floquet 拓扑绝缘体的直流量子霍尔电导并不直接 linked 到完整 Floquet 能带的拓扑不变量。
引用
@article{arxiv.1409.2482,
title = {Multiterminal Conductance of a Floquet Topological Insulator},
author = {L. E. F. Foa Torres and P. M. Perez-Piskunow and C. A. Balseiro and G. Usaj},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.2482},
year = {2014}
}
备注
5 pages + 4 figures + suppl. material