Floquet拓扑绝缘体的光学霍尔电导率
介观与纳米尺度物理
2015-10-28 v2
摘要
给出了理想封闭量子系统以及带有库的非平衡稳态开放系统中Floquet拓扑绝缘体（FTI）的光学霍尔电导率的结果。该稳态，即使是开放系统，也强烈依赖于FTI的拓扑相，其中某些相表现出来自相反符号贝里曲率口袋的显著近抵消，导致被抑制的低频霍尔电导率，并且还表现出反常的温度依赖性，即随库的温度升高而增加。此种行为与加热完全相反，并且源于激光对有效系统-库耦合的强烈修正。Floquet模式的贝里曲率是时间依赖的，并且发现其频率分量控制着高频霍尔电导率的主要特征。
引用
@article{arxiv.1506.08687,
title = {Optical Hall conductivity of a Floquet Topological Insulator},
author = {Hossein Dehghani and Aditi Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.08687},
year = {2015}
}
备注
9 figs