通过硅自旋输运实现35%磁电流

自旋极化电子向硅导带的高效注入受限于铁磁金属(FM)/硅界面处硅化物的形成。在本文中，通过将自旋注入器中的FM从隧道结基极阳极移至发射极阴极并远离硅表面，消除了这种“磁性死层”硅化物（强烈的自旋散射显著降低了注入的自旋极化）。这使得自旋注入效率提高了一个数量级以上，磁电流比从先前报道的约2%提高至约35%，硅中的估计自旋极化从约1%提高至至少约15%。此外，还测量了该自旋输运信号的注入器隧道结偏压依赖性，证明了低偏压对于保持高注入自旋极化的重要性。