自旋过滤多铁性 - 半导体异质结
材料科学
2011-11-10 v1 强关联电子
摘要
我们报告了使用 Hubbard 修正的局域自旋密度近似（LSDA+U）结合密度泛函理论（DFT）研究的反铁磁有序氧化物 YMnO 与宽禁带半导体 GaN 之间界面的结构和电子性质。我们发现，反铁磁有序 YMnO 与 GaN 界面处的能带偏移对于自旋向上和自旋向下状态是不同的。这种行为是由于界面诱导的价带自旋分裂所致。能垒取决于电极化方向相对于 GaN 衬底极化方向的相对取向，这表明在该材料体系中创造磁隧道结的机会。
引用
@article{arxiv.0709.0318,
title = {Spin-Filtering Multiferroic-Semiconductor Heterojunctions},
author = {Na Sai and Jaekwang Lee and Craig J. Fennie and Alexander A. Demkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:0709.0318},
year = {2011}
}
评论
4 pages, 4 figures