YMnO3 单晶在 GaN 上的异质生长
材料科学
2015-06-25 v1
摘要
本文报告了 YMnO3 多费米子材料在 GaN 上的异质生长。两种材料均为六方晶系， nominal 晶格错配为 4%，但 X 射线衍射结果显示，YMnO3 与 GaN 的单位胞之间出现意外的 30 度旋转，导致晶格错配显著增大（约 10%），与未旋转情况下的错配相比更大。基于第一性原理计算的估计表明，旋转原子排列所获得的键能补偿了由于晶格错配增大而产生的应变能。了解化学键能与应变能之间的能量竞争，为理解复杂氧化物-半导体体系的异质生长机制提供了洞见。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508478,
title = {Epitaxial Growth of Multiferroic YMnO3 on GaN},
author = {A. Posadas and J. -B. Yau and J. Han and C. H. Ahn and S. Gariglio and K. Johnston and J. B. Neaton and K. M. Rabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508478},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 3 figures