从铜化合物与氦薄膜的比较中我们能得到什么？：相分离与波动超流性
超导电性
2009-10-31 v1 强关联电子
摘要
在高 T_c 超导体 (HTSC) 的欠掺杂、过掺杂、Zn 掺杂或条纹形成区域，超流密度 n_s/m* 在 T→0 时与 T_c 之间存在普遍关联。类似地，2 维超流密度与 2 维超流相变温度在非多孔或多孔介质中的 ^4He 薄膜以及吸附在多孔介质上的 ^4He/^3He 薄膜之间也存在强关联。基于 HTSC 与 He 薄膜系统之间的类比，我们提出一种铜化合物模型，其中：(1) 过掺杂区域特征为类似 ^4He/^3He 的相分离；(2) 成对 (玻色子) 形成和超流性在 underdoped 区域的 T_c 以上以单独的温度发生。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0012016,
title = {What can we learn from comparison between cuprates and He films ? : phase separation and fluctuating superfluidity},
author = {Y. J. Uemura},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0012016},
year = {2009}
}
备注
8 pages, 5 figures. Invited paper presented at the third international conference on stripes and high-Tc superconductivity (STRIPE-2000), Sept. 25-30th, 2000, Rome, Italy. To be published in the International Journal of Modern Physics B