二维拓扑绝缘体中良好局域的边缘态：超薄Bi薄膜
材料科学
2015-05-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们理论研究了二维量子自旋霍尔系统中边缘态穿透深度的普遍行为。我们发现边缘态色散的动量空间宽度与穿透深度的倒数成比例。作为良好局域边缘态的一个例子，我们考虑了Bi(111)超薄薄膜。发现其边缘态几乎延伸至整个布里渊区。相应地，与HgTe量子阱相比，铋(111)单双层系统被认为具有良好局域的边缘态。
引用
@article{arxiv.1005.3912,
title = {Well-localized edge states in two-dimensional topological insulators: ultrathin Bi films},
author = {M. Wada and S. Murakami and F. Freimuth and G. Bihlmayer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3912},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures