电压噪声本底低于 1 nV/sqrt(Hz) 的极简 FET 放大器
仪器与探测器
2008-11-19 v1
摘要
本文提出了一种用于微弱电压信号的场效应晶体管(FET)放大器。其设计简单易懂，任何人都能负担其制作成本。尽管结构简单，但其电压噪声低于 1 nV/sqrt(Hz)，性能优于市售的集成FET放大器。该放大器在 1 MHz 带宽内的增益平坦度优于 1 dB；可用作信号分析仪或信号恢复系统的前端。
引用
@article{arxiv.0811.2866,
title = {Very simple FET amplifier with a voltage noise floor less than 1 nV/sqrt(Hz)},
author = {Luca Callegaro and Marco Pisani and Alessio Pollarolo},
journal= {arXiv preprint arXiv:0811.2866},
year = {2008}
}
备注
3 figures