基于包含应变效应的扩展区有效质量近似的硅谷分裂研究
介观与纳米尺度物理
2024-07-08 v1
摘要
在SIMOX (001)衬底（一种绝缘体上硅(SOI)衬底)上制备并经过长时间高温退火的硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)已知表现出较大的谷分裂，但其分裂起源长期以来未知。扩展区有效质量近似(EMA)预测应变会显著影响谷分裂。在本研究中，我们基于该理论分析了谷分裂，发现埋氧(BOX)界面附近沿<110>方向约5%的剪切应变是产生大谷分裂的一个可能来源。
引用
@article{arxiv.2309.05219,
title = {Valley splitting by extended zone effective mass approximation incorporating strain in silicon},
author = {Jinichiro Noborisaka and Toshiaki Hayashi and Akira Fujiwara and Katsuhiko Nishiguchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.05219},
year = {2024}
}
备注
12 pages, 5 figures,