硅中单层\delta 掺杂磷的谷分裂从头算计算
材料科学
2013-05-03 v1 量子物理
摘要
由谷分裂引起的电子能带之间的能量差异，对于解释由扫描隧道显微镜光刻定义的尖端量子器件的输运谱实验至关重要。我们开发了这些系统的平面波密度泛函理论描述，但由于计算可行性限制，其尺寸受限。随后，我们通过局域基函数开发了一种资源消耗较少的替代方案，在保留平面波描述物理特性的同时，将该模型扩展到平面波方法能力之外，以确定隔离良好的\delta 层的从头算谷分裂。在获得平面波方法与离域方法之间的一致性时，我们表明先前的从头算计算高估了谷分裂，幅度超过 50%。
引用
@article{arxiv.1201.3751,
title = {Ab initio calculation of valley splitting in monolayer \delta-doped phosphorus in silicon},
author = {Daniel W. Drumm and Akin Budi and Manolo C. Per and Salvy P. Russo and Lloyd C. L. Hollenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1201.3751},
year = {2013}
}