用于硅探测器设计的紫外抗反射涂层
天体物理仪器与方法
2015-05-27 v1
摘要
我们报告了针对固定色散紫外光谱仪优化的CCD探测器涂层的研发进展。由于硅的折射率快速变化，单层宽带抗反射涂层无法在所有感兴趣波长上提高量子效率。因此，我们描述了一种在紫外波段提供优异性能的创新解决方案。我们介绍了在理论量子效率(QE)超过60%（波长120至300nm）的CCD探测器研发方面取得的进展。这一高效率可通过在背照式、减薄、δ掺杂的CCD上涂覆一系列薄膜抗反射涂层来实现。测试的材料包括MgF2（针对120-150nm最高性能优化）、SiO2（150-180nm）、Al2O3（180-240nm）、MgO（200-250nm）和HfO2（240-300nm）。我们测试了多种沉积技术，并将一组在硅测试晶圆上反射率最小的涂层应用于实际器件。我们还讨论了未来的应用和改进，包括梯度涂层和多层涂层。
引用
@article{arxiv.1102.2241,
title = {UV anti-reflection coatings for use in silicon detector design},
author = {Erika T. Hamden and Frank Greer and Michael E. Hoenk and Jordana Blacksberg and Matthew R. Dickie and Shouleh Nikzad and Christopher D. Martin and David Schiminovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.2241},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 15 Figures. The following article has been submitted to Applied Optics. After it is published, it will be found at http://www.opticsinfobase.org/ao/upcoming.cfm