用于 CCD 相对反射率测量的新型反射计
天体物理仪器与方法
2016-12-21 v1
摘要
背照式电荷耦合器件（CCD）的高量子效率（QE）开启了大规模天文巡天时代。这些器件的 QE 可超过 90%，且取决于工作温度、器件厚度、背面充电机制和抗反射（AR）涂层。但在光学波长下，QE 可很好地近似为 1 减去反射率，因此测量这些器件的背面反射率提供了对其 QE 的第二种独立测量方法。我们设计并制造了一种用于测量 CCD 探测器相对镜面反射率的新型仪器，该装置的很大一部分是使用 3D 熔融沉积成型（FDM）打印机构建的。该装置同时采用监控光电二极管和测量光电二极管，以同时收集入射和反射测量数据，从而减少了相对反射率校准过程引入的误差。虽然大多数相对反射计高度依赖于精确可重复的目标距离以进行准确测量，但我们实现了一种使这些误差最小化的测量方法。使用该反射计，我们测量了两种 Hamamatsu CCD 探测器的反射率。第一种器件是 Hamamatsu 2k x 4k 背照式高电阻率 p 型硅探测器，已优化为在 380 nm - 650 nm 蓝光波段工作。第二种探测器是 2k x 4k 背照式高电阻率 p 型硅探测器，优化为在 640 nm - 960 nm 红光波段使用。我们不仅能够测量这些器件的反射率随波长的变化，还对反射率随器件表面位置的变化进行了采样，并发现了这些器件上的反射率梯度。
引用
@article{arxiv.1608.01159,
title = {A Novel Reflectometer for Relative Reflectance Measurements of CCDs},
author = {Murdock Hart and Robert H. Barkhouser and James E. Gunn and Stephen A. Smee},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.01159},
year = {2016}
}
备注
SPIE ATI 2016