单个(InGa)As量子点中类双光效应的占据动力学
介观与纳米尺度物理
2023-02-20 v1
摘要
我们将单(InGa)As量子点的光学自旋噪声光谱扩展到高磁场条件，在该条件下，带正电量子点三子跃迁的两个光学活性塞曼分支之间的分裂显著大于均匀线宽。在这种条件下，关于自旋与电荷动力学解耦的典型理论近似通常不再有效，并且克尔涨落在两个塞曼分支之间的光谱区域内显示出显著更丰富的、依赖于失谐的特征。实验数据与扩展理论的比较表明，在高磁场下，典型的俄歇复合可以被忽略，取而代之的是一种由探测激光诱导的光电效应，该效应不仅将驻留空穴移出量子点，还激活了受主束缚的空穴，这些空穴为空的量子点重新充电。
引用
@article{arxiv.2302.09035,
title = {Two-way photoeffect-like occupancy dynamics in a single (InGa)As quantum dot},
author = {Pavel Sterin and Kai Hühn and Jens Hübner and Michael Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.09035},
year = {2023}
}
备注
10 pages, 8 figures