延长单电荷InGaAs量子点系综相干光学响应的时间
介观与纳米尺度物理
2022-01-25 v1 材料科学
摘要
延长大规模量子发射体系综相干光学响应的时间尺度，对于量子信息器件应用极具吸引力。在半导体纳米结构中，自旋自由度可作为辅助的有力工具来修饰相干光学动力学。此处，我们将该方法应用于负电荷(In,Ga)As/GaAs自组装量子点，其被视为具有鲁棒光学相干性与高带宽的优异量子发射体。我们研究了在高达1 T的中等横向磁场下的三脉冲自旋依赖光子回波。我们证明该场可将相干光学响应的时间尺度延长至少一个数级。无磁场时，光子回波以 = 0.45 ns衰减，其由三激子辐射寿命 = 0.27 ns决定。在横向磁场存在时，光子回波信号的衰减由驻留电子系综的自旋去相位时间 ~ 4 ns给出。我们证明三激子态中重空穴的非零横向g因子在长寿命光子回波信号的时间演化与磁场依赖中起着关键作用。
引用
@article{arxiv.2201.09383,
title = {Extending the time of coherent optical response in ensemble of singly-charged InGaAs quantum dots},
author = {A. N. Kosarev and A. V. Trifonov and I. A. Yugova and I. I. Yanibekov and S. V. Poltavtsev and A. N. Kamenskii and S. E. Scholz and C. Sgroi and A. Ludwig and A. D. Wieck and D. R. Yakovlev and M. Bayer and I. A. Akimov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.09383},
year = {2022}
}
备注
9 pages, 4 figures, Supplementary material