超越涨落耗散定理的单量子点自旋与再占据噪声
介观与纳米尺度物理
2018-02-21 v2
摘要
我们报道了在线偏振探测光场强驱动下，由单个空穴充电的单个InGaAs量子点的非平衡自旋噪声。自旋噪声功率的光谱依赖性表明，在无偏压量子点环境中存在均匀展宽和可忽略的电荷涨落。超越涨落耗散定理对自旋噪声谱的全面分析给出了重空穴自旋动力学以及三重态自旋动力学。此外，实验揭示了克尔旋转噪声谱中存在一个额外的、微弱得多的噪声贡献。该额外噪声贡献在量子点共振处达到最大，并显示出显著更长的关联时间。磁场依赖测量结合理论建模证明，这一额外噪声贡献揭示了天然带电量子点中固有的电荷再占据噪声。
引用
@article{arxiv.1708.01245,
title = {Spin and reoccupation noise in a single quantum dot beyond the fluctuation-dissipation theorem},
author = {J. Wiegand and D. S. Smirnov and J. Hübner and M. M. Glazov and M. Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.01245},
year = {2018}
}
备注
13 pages, 7 figures