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类型 I 威尔斯半导体器件中的隧穿极性霍尔效应

介观与纳米尺度物理 2024-07-22 v1

摘要

我们提出了基于时间反演性破坏的类型 I 威尔斯半导体器件的 normal metal-超导体 (NS) 接头中的倾斜极性霍尔效应。发现由于威尔斯锥的倾斜,在 NS 界面发生极性对比式偏折反射,这是导致非零横向极性霍尔电流的原因。与由 Berry 曲率引起的霍尔效应不同,我们进一步说明,此处的横向极性电流由倾斜的对称性决定。具体而言,当倾斜破坏镜像对称性 (M\mathcal{M}) 时,横向极性霍尔电流和横向电荷霍尔电流可能同时存在。然而,当倾斜破坏 M\mathcal{M} 对称性但保持组合 MC\mathcal{MC} 对称性时,即可出现纯粹的横向极性霍尔电流,且净电荷为零,其中 C\mathcal{C} 表示 Z2\mathbb{Z}_2 交换对称性。

关键词

引用

@article{arxiv.2404.15747,
  title  = {Tunneling chirality Hall effect in type-I Weyl semimetals},
  author = {W. Zeng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2404.15747},
  year   = {2024}
}

备注

9 pages, 4 fgures